型号:

BSZ165N04NS G

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSZ165N04NS G PDF
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 31A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 16.5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 840pF @ 20V
功率 - 最大 25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSDSON
供应商设备封装 -
包装 剪切带 (CT)
其它名称 BSZ165N04NSGINCT
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